2N3903 TRANSISTOR PDF

If these two quantities exist simultaneously at the transistor, the Power Dissipation Rating in Transistor is, which is much greater than the mW specified maximum. From Fig. This may be used to calculate the device maximum power dissipation at any air temperature. The data sheet portion in Fig. Note that for a power transistor the case temperature is specified, instead of the air temperature. The derating factor is 0.

Author:Vudora JoJojind
Country:Cayman Islands
Language:English (Spanish)
Genre:Education
Published (Last):14 August 2011
Pages:295
PDF File Size:6.56 Mb
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ISBN:327-2-21262-439-4
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El transistor es bipolar. La figura-1, muestra la estructura interna del transistor. Estructura de un transistor NPN. Por ejemplo el Silicio, la capa N esta formada por cristales de silicio con impurezas. Material P El material P esta formado por cristales de Silicio o cualquier otro material semi-conductor como el Germanio e impurezas como el boro. La Figura-3 muestra una estructura cristalina de material P.

Diagrama de la estructura cristalina del material P, Silicio dopado con impurezas como el boro. Transistor NPN como amplificador Existen dos tipos de transistores, los bipolares que se controlan mediante una entrada de corriente y los de efecto de campo que son activados mediante una entrada de voltaje.

Entonces este es el factor de ganancia en un transistor npn. Por ejemplo, en el transistor 2NA, el cual es un transistor NPN bipolar, su Hfe puede valer desde 35 hasta dependiendo de la corriente del colector y del voltaje colector-emisor.

Esta formado por cristales de silicio que tienen impurezas. Cuando estas impurezas son Boro, se le conoce como material P.

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